Preview

Известия высших учебных заведений. Геология и разведка

Расширенный поиск

Оптические спектры поглощения и кристаллохимия кварца, имплантированного ионами кобальта

https://doi.org/10.32454/0016-7762-2020-63-5-57-66

Полный текст:

Аннотация

Введение. Проведена высокодозная имплантация ионов кобальта в кристаллическую структуру природного бесцветного кварца. Образцами для исследований являлись плоскопараллельные кристаллографически ориентированные перпендикулярно оси симметрии третьего порядка пластины кристаллов горного хрусталя Светлинского месторождения Южного Урала. Имплантация примеси кобальта в кварц проводилась на ионно-лучевом ускорителе ИЛУ-3 вдоль оси симметрии С.
Цель — определить диапазоны термического отжига для контролируемого изменения окраски минерала, установить кристаллохимические особенности изменений, протекающих в матрице кварца вследствие ионно-лучевой модификации свойств минерала.
Материалы и методы. Режимы имплантации: комнатная температура, остаточный вакуум 10–5 торр, доза облучения — в пределах от 1,0×1017 до 1,5×1017 ион/cм2 при постоянной плотности ионного тока 10 мкА/см2. Постимплантационная термическая обработка проводилась в три этапа. Контроль кристаллохимических изменений проводился посредством высокочувствительного спектрофотометра широкого диапазона длин волн.
Результаты. Установлено, что выявленные полосы поглощения связаны с электронными переходами в ионах кобальта (Со2+ и Со3+), координированных в кристаллической матрице имплантированного и термически обработанного горного хрусталя. Доказано формирование в облученной кварцевой матрице самостоятельной ультрадисперсной фазы шпинелида. Сделан вывод о принадлежности новообразованной фазы к частично обращенной кобальтовой шпинели.
Заключение. С учетом квантово-оптических свойств кобальтовой шпинели (лазерные затворы) методика ионно-лучевой модификации кристаллических структур минералов, в частности кварца, является весьма перспективной в области создания новых композитных материалов на основе природного и искусственного минерального сырья.

Для цитирования:


Бахтин А.И., Мухаметшин А.В., Лопатин О.Н., Валеев В.Ф., Нуждин В.И., Хайбуллин Р.И. Оптические спектры поглощения и кристаллохимия кварца, имплантированного ионами кобальта. Известия высших учебных заведений. Геология и разведка. 2020;63(5):57-66. https://doi.org/10.32454/0016-7762-2020-63-5-57-66

For citation:


Bakhtin A.I., Mukhametshin A.V., Lopatin O.N., Valeev V.F., Nuzhdin V.I., Khaibullin R.I. Absorption spectra and crystal chemistry of quartz implanted with cobalt ions. Proceedings of higher educational establishments. Geology and Exploration. 2020;63(5):57-66. (In Russ.) https://doi.org/10.32454/0016-7762-2020-63-5-57-66

Кварц является важнейшим породообразующим минералом земной коры, вклад применения которого в различных областях промышленности и хозяйства невозможно переоценить. Аналогично имеется множество патентов, связанных с синтезом и модификацией кварцевой кристаллической матрицы как природного, так и искусственного происхождения.

В настоящее время в различных областях естествознания и промышленности широко используется метод ионно-лучевой обработки твердых тел с целью модификации их структурных и физических свойств. Методика ионной имплантации позволяет с прецизионной точностью внедрять дозированное количество примеси в приповерхностный слой любой твердотельной матрицы. Поскольку при этом высокие дозы облучения приводят зачастую к структурной аморфизации приповерхностных слоев, для рекристаллизации структуры и разгона внедренной примеси по объему предполагается последующая термическая обработка. Известно большое количество работ по высокодозной (более чем 1016 ион/cм2) имплантации ионов переходных химических элементов в кристаллические матрицы различных диэлектриков, в том числе в матрицу кварца. Ранее было показано, что в зависимости от величины дозы имплантации и режимов постимплантационного отжига внедренные в кристалл диэлектрика металлические ионы могут либо изоморфно замещать атомы исходной кристаллической мишени, либо коагулировать и находиться в облученном слое в виде ультрадисперсной металлической фазы или в виде самостоятельных структурных преципитатов (т.е. соединений).

Одним из немаловажных следствий структурного вхождения имплантированных элементов в минеральные матрицы является существенное изменение первичной окраски минералов. В работах японских и португальских исследователей [9][10][11] показана возможность получения наведенной окраски в образцах кварца и других минералов путем имплантации в их структуру ионов различных переходных химических элементов. Авторы этих работ добились изменения окраски бесцветных кристаллов синтетического кварца на коричневую (железо), розовую (медь) и голубую (ниобий). Однако они не определили структурного положения и валентного состояния внедренных химических элементов, ограничившись лишь констатацией факта окрашивания кристаллов.

В настоящей работе описаны эксперименты по высокодозной имплантации ионов кобальта в кристаллическую структуру природного кварца (горного хрусталя). Представлены результаты исследования влияния ионного облучения и последующего термического отжига на оптические свойства горного хрусталя. Целями исследований являлись контроль за возможным изменением окраски исходно бесцветных кристаллов и определение фазово-структурного состояния примеси кобальта, внедренной в кварцевую матрицу.

Материалы и методы

Образцами для исследований служили природные кристаллы горного хрусталя Светлинского месторождения Южного Урала. При подготовке кристаллов к имплантации из них вырезались тонкие (1—3 мм) плоскопараллельные пластины, перпендикулярные оси симметрии третьего порядка, плоскости среза которых обрабатывались алмазными абразивами с высокой степенью чистоты.

Имплантация ускоренных до энергии 40 кэВ однозарядных ионов кобальта в пластины кварца выполнялась на ионно-лучевом ускорителе ИЛУ-3 при комнатной температуре в остаточном вакууме 10–5 торр. Доза облучения варьировалась в пределах от 1,0×1017 до 1,5×1017 ион/cм2 при постоянной плотности ионного тока, равной 10 мкА/см2. С целью отжига радиационных дефектов, перераспределения примеси кобальта по объему кристалла и ее оптической активации проводилась последующая термическая обработка образцов в камерной электропечи ПВК 1,6-5 при температурах 583, 750 и 950 °C в течение 60 минут в атмосфере воздуха.

Контроль над изменением окраски образцов производился визуально и методами абсорбционной оптической спектроскопии по методике, подробно описанной ранее [3][4], в ультрафиолетовом, видимом и ближнем инфракрасном диапазонах длин волн. Оптические спектры поглощения записывались в интервале длин волн 200— 3500 нм на стандартизированном спектрофотометре SHIMADZU UV 3600.

Результаты и обсуждение

Следует отметить, что, в отличие от предыдущих опытов авторского коллектива [2][3][4], высокодозная имплантация ионов кобальта в бесцветные прозрачные пластины горного хрусталя не привела к существенному изменению цветовых характеристик образцов и изменению их колориметрических параметров. В результате имплантации ионов кобальта образцы хрусталя приобретают сероватый оттенок, густота и насыщенность которого возрастает с ростом дозы облучения. При этом приповерхностные слои пластин кварца, имплантированных с максимальной дозой, приобретают четко выраженный металлический блеск. Возникновение подобного рода оптических явлений в прозрачных диэлектриках объясняется радиационным повреждением кристаллической структуры облученной матрицы при ее обработке высокоэнергетичным потоком ионов [6][12]. Это приводит к появлению в приповерхностном слое матрицы различного рода структурных дефектов, электронно-дырочных центров, а также к образованию на определенной глубине облученной матрицы новообразованной мелкодисперсной фазы внедренной примеси, некогерентной структуре исходной матрицы.

С целью определения толщины модифицированного ионной имплантацией слоя кварца и оценки величины концентрации внедренной примеси кобальта были проведены расчеты в рамках компьютерной программы SRIM-2010 [13], моделирующей процессы внедрения (имплантации) ионов различных химических элементов в твердотельную матрицу. Результаты моделирования имплантации ионов кобальта с энергией 40 кэВ в матрицу кварца представлены на рисунке 1. Как видно из рисунка, распределение концентрации имплантированной примеси кобальта неоднородно по глубине (имеет гауссовоподобную форму) с пиком концентрации кобальта (~40 ат.%), расположенным на расстоянии 36 нм от поверхности кварцевой пластины. Основная часть примеси кобальта (порядка 96% от общего числа имплантированных ионов) залегает в поверхностном слое толщиной 70 нм. Очевидно, что столь высокая концентрации кобальта в поверхностном слое приводит к преципитации примеси в форме наночастиц металлического кобальта, о чем свидетельствуют результаты дифференциального термомагнитного анализа имплантированных кобальтом образцов кварца. В результате последующего высокотемпературного отжига в атмосфере воздуха происходит окисление кобальта и формирование в поверхностном слое кварца мелкодисперсной фазы шпинели Co3O4 (или СоIV2+(Со23+)VIO4), как это следует из анализа представленных ниже оптических спектров поглощения.

Рис. 1. Глубинный профиль распределения примеси кобальта в кварце, имплантированном однозарядными ионами кобальта с энергией 40 кэВ и дозой 1,5×1017 ион/cм2. Рассчитанные в рамках программы SRIM [13] значения концентрации представлены круглыми символами, а аппроксимация их глубинного распределения функцией Гаусса — сплошной линией
Fig. 1. Depth profile of cobalt concentration distribution in the quartz implanted with singly charged cobalt ions with an energy of 40 keV and a dose of 1.5×1017 ion/cm2. Here the values of concentration calculated in the frame of SRIM program [13] are represented by round symbols, and the approximation of depth distribution by the Gaussian function is shown by a solid line

В спектре поглощения образца монокристалла кварца, имплантированного ионами кобальта и отожженного в течение часа при температуре 750 °С, обнаруживаются полосы (в нм) 435, 485, 680, 750, 1220, 1350, 1520, 2920, 2960, 3025, 3120 (рис. 2). В спектре исходного кварца эти полосы поглощения отсутствуют. Поэтому можно считать, что все они обусловлены электронными переходами в ионах кобальта. Известно, что наиболее стабильными ионами кобальта являются Со2+, Со3+. Поэтому с ними и следует связывать указанные выше полосы поглощения в спектрах имплантированного кварца. Стабильность положения полос при различных температурах отжига свидетельствует о том, что ионы кобальта находятся в структурных позициях какой-то стабильной структуры. Таковой является кобальтовая шпинель СоIV2+(Со23+)VIO4. Факт формирования этой шпинели подтверждается также тем, что конфигурация наблюдаемых спектров поглощения имплантированного кобальтом кварца полностью идентична конфигурации спектров поглощения полимерных композиций, содержащих в себе нановолокна кобальтовой шпинели Со2+Со234, описанных в работе [8]. Образование шпинели в имплантированном слое кварца инициируется постимплантационным отжигом и усиливается при температурах 590—750 °С. При температурах выше 900 °С мелкодисперсная фаза шпинели, по-видимому, полностью растворяется в матрице кварца, поскольку ее полосы поглощения исчезают в образце, отожженном при температуре 950 °С.

Рис. 2. Оптический спектр поглощения кварца, имплантированного ионами кобальта с дозой 1,5×1017 ион/см2 и последовательно отожженного в воздушной среде при Т = 750 оС в течение 60 минут
Fig. 2. Optical absorption spectrum of quartz implanted with cobalt ions with a dose of 1.5×1017 ion/cm2 and sequentially annealed in air at T = 750оC for 60 minutes

В нормальной структуре шпинели Со2+ заселяет тетраэдрические, а ионы Со3+ — октаэдрические позиции. Так как тетраэдрическое электрическое поле в 4/9 раза слабее октаэдрического и характеризуется более близким к друг другу расположением электронных уровней энергии, то наиболее длинноволновые полосы поглощения в спектре кварца, имплантированного кобальтом, следует связать с ионами СоIV2+. Схема уровней энергии иона Со2+ (3d7) в поле тетраэдра с симметрией Тd показана на рисунке 3а. Здесь же показана энергия уровней в единицах параметра кристаллического поля Dq. Энергия уровня 4T1 определяется не только величиной Dq, но и значением параметра межэлектронного отталкивания B уровней 4T1 термов 4F и 4P как величиной отталкивания самих этих термов друг от друга. Из схемы (рис. 3) следует, что наиболее длинноволновая полоса поглощения ионов СоIV2+ по энергии составляет 10хDq и отвечает электронному переходу 4А2(F)→4T2(F). В спектре данная полоса находится в районе 3000 нм и состоит из четырех компонент, 2920, 2960, 3025, 3120 нм, вследствие расщепления уровня 4T2(F) на четыре подуровня спин-орбитальными взаимодействиями в соответствии со спиновой мультиплетностью этого уровня 4. Среднее арифметическое значение энергии уровня 4T2(F) оказывается равным 3328 см-1, откуда следует, что значение Dq должно составлять 333 см-1. Следующая полоса поглощения ионов СоIV2+ отвечает переходу 4А2(F)→4T1(F) с энергией около 18хDq. Подставляя сюда значение Dq = 333 см-1, получаем энергию этой полосы поглощения 5994 см-1, что соответствует длине волны 1668 нм. В этом районе действительно находится полоса поглощения 1520 нм с энергией 6580 см-1. Ее можно отнести к переходу 4А2(F)→4T1(F) в ионах СоIV2+. Положение третьей полосы поглощения перехода 4А2(F)→4T1(Р) иона СоIV2+ определяется по следующему алгоритму. Разность энергий термов 4Р и 4F составляет 15хВ [7], тогда как переходу 4А2(F)→4T1(Р) должна отвечать энергия порядка 12хDq +15хВ. Подставляя сюда величину Dq = 333 см-1 и характерное для иона Со2+ в тетраэдре значение В = 600 см-1 [7], получим энергию 12996 см-1, которой отвечает длина волны 769 нм. В этом районе в спектре имплантированного кобальтом кварца действительно имеется полоса поглощения 750 нм (13 300 см-1). В итоге к ионам СоIV2+ в спектре имплантированного кобальтом кварца следует отнести полосы поглощения (в нм) (2920, 2960, 3025, 3120), 1520, 750 и отнести их к электронным переходам с уровня основного состояния 4А2(F) на возбужденные уровни 4T2(F), 4T1(F), 4T1(Р) соответственно. Более точные значения параметров кристаллического поля Dq и B можно получить из уравнений электростатических взаимодействий, проведенных в работе [5]. Используя данные уравнения, провели теоретический расчет энергии уровней СоIV2+ в имплантированном кобальтом кварце. Помимо этого, методом наименьших квадратов отклонений экспериментальных и теоретических значений этих уровней произведена оптимизация значений параметров кристаллического поля Dq и В с использованием при этом в качестве начальных значений Dq = 333 см-1, В = 600 см-1. Оптимальные их значения оказались следующими: Dq = 360 см-1, В = 580 см-1. Энергии уровней, отвечающих данным параметрам кристаллического поля, приведены в таблице.

Рис. 3. Схема уровней энергии ионов кобальта, имплантированных в кварц, в кристаллическом поле: а) тетраэдра (симметрия Тd) и б) октаэдра (симметрия Oh)
Fig. 3. Diagram of energy levels of cobalt ions implanted into quartz in crystal field of a tetrahedron (Td symmetry) and an octahedron (Oh symmetry)

В кобальтовой шпинели количество ионов СоVI3+ вдвое больше, чем СоIV2+. Поэтому ионы Со3+ также должны проявляться в спектрах поглощения имплантированного кобальтом кварца. Ион Со3+ имеет электронную конфигурацию 3d6 и в высокоспиновом состоянии в октаэдрах порождает одну полосу поглощения перехода 5Т2(D)→5E(D), находящуюся в районе 680—900 нм (11 000—15 000 см-1) [7]. Уровень 5E(D) иона СоVI3+ эффектом Яна — Теллера расщепляется на два подуровня, и поэтому в спектре обычно наблюдаются две полосы поглощения указанного перехода. Величина расщепления обычно составляет 2500—3500 см-1 [7]. С ионами СоVI3+ имплантированного кварца можно связать две полосы поглощения — 435 нм (23 000 см-1) и 750 нм (13 300 см-1) и отнести их к двум компонентам перехода 5Т2(D) → 5E(D).

Однако получающаяся очень большая величина расщепления 9700 см-1 уровня 5E(D) не позволяет этого сделать. Более вероятно связать данные полосы поглощения с ионами СоVI3+, находящимися в низкоспиновом состоянии. Следует отметить, что подобное явление характерно для большинства комплексов трехвалентного кобальта в октаэдрах (рис. 3б), когда основным состоянием является уровень 1А1(t2g6), а возбужденными — уровни 3T1, 3T2, 1T1, 1T2 в конфигурации t2g5е1. В этом случае обычно наблюдается две полосы поглощения спин-разрешенных переходов 1А11Т1 и 1А11Т2, находящихся в области 14 000—30 000 см-1 (350—714 нм), а в спектрах синтетического граната и корунда — в диапазоне 14 000—23 000 см-1(435—714 нм) [7]. Именно эти — последние полосы поглощения, скорее всего, и наблюдаются в спектре имплантированного кобальтом кварца. Полосу поглощения 750 нм (13 300 см-1) следует связать с переходом 1А11Т1, а полосу 435 нм (23 000 см-1) — с переходом 1А11Т2. Переходы на уровни 3T1, 3T2 запрещены по спину и в записанных спектрах не проявились.

Если принять за нуль уровень основного состояния 1А1(t2g6) иона СоVI3+, то энергия (Е) его возбужденных уровней в параметрах Рака составит: Е(1T1) =10хDq-C; Е(1T2) = 10хDq + 16хВ-C, [1][5][7]. Разность энергий этих двух уровней, 1T1 и 1T2, равняется 16хВ, а в оптических спектрах она составляет 9700 см-1. Откуда следует значение В = 606 см-1. Полагая, что С/В = 4,5, как это зачастую принято в спектроскопии, находим параметр С = 2700 см-1 и вычисляем Dq = 1600 см-1. Низкоспиновое состояние иона СоVI3+ обычно имеет место, когда выполняется неравенство Dq > 2хВ [7]. Найденные параметры Dq и В показывают, что указанное неравенство применительно к ионам СоVI3+ в имплантированных кобальтом образцах соблюдается. Это подтверждает сделанную интерпретацию полос поглощения 437, 750 нм в спектре имплантированного кобальтом кварца (см. табл.).

Таблица 1. Положение полос поглощения в спектрах имплантированного кобальтом кварца и их отнесение к электронным переходам в ионах кобальта из основного состояния на возбужденные уровни, соответствующие этим полосам поглощения. Приводятся значения параметров кристаллического поля Dq, В, С, отвечающие ионам кобальта, и теоретические энергии уровней, вычисленные на их основе
Table 1. Position of absorption bands in the spectra of cobalt-implanted quartz and their assignment to electronic transitions in cobalt ions from the ground state to excited levels corresponding to these absorption bands. The values of the parameters of the crystal field Dq, B, C corresponding to cobalt ions and the theoretical energies of the levels calculated on their basis are given

Слабую широкую полосу поглощения 1220 нм (8200 см-1) в спектре имплантированного кобальтом кварца можно отнести к электронному переходу 5E(D)→ 5Т2(D) в ионах Со3+ в тетраэдрических позициях кобальтовой шпинели. Данному переходу отвечает энергия 10хDq. Откуда следует значение Dq в тетраэдре = 820 см-1. Это значение весьма близко к величине (4/9)×Dq(окт.) = (4/9)×1600 см-1 = 710 см-1, что подтверждает отнесение полосы 1220 нм к ионам СоIV3+. Выше отмечалось, что в спектре кобальтовой шпинели, образующейся в имплантированном кварце, присутствуют полосы поглощения ионов Со2+ в октаэдрических позициях шпинели. Это значит, что структура кобальтовой шпинели является частично инверсированной (обращенной). Инверсия выражается в частичном вхождении ионов Со2+ в октаэдрические позиции, а ионов Со3+ — в тетраэдрические позиции шпинели, а также это подтверждается наличием полосы поглощения 1220 нм ионов СоIV3+ в спектре имплантированного кобальтом кварца.

Исходя из вышеприведенных расчетов глубины модифицированного слоя (см. рис. 1), а также на основание результатов, проведенных ранее экспериментальных исследований [3][4] и литературных данных [12], уместно заключить, что все вышеперечисленные оптические явления, наблюдаемые в процессе ионно-лучевой модификации кварца с последующим отжигом, протекают на глубине до 100 нм от поверхности облучаемой кварцевой матрицы.

Заключение

Анализ результатов проведенных оптических исследований образцов горного хрусталя, содержащего имплантированную примесь кобальта, позволяет утверждать следующее.

Спектры поглощения имплантированного кобальтом кварца представляют суперпозицию различных полос поглощения, характерных для октаэдрических и тетраэдрических комплексов, двух- и трехвалентных ионов кобальта. Доминируют в спектрах полосы поглощения ионов СоVI3+ и СоIV2+. В подчиненном количестве присутствуют полосы поглощения ионов СоVI2+ и СоIV3+. Наличие вышеназванных полос и соотношение их интенсивностей в оптических спектрах указывает на то, что в имплантированном поверхностном слое кварца образуется кобальтовая шпинель. Факт формирования этой шпинели подтверждается также тем, что конфигурация наблюдаемых спектров поглощения имплантированного кобальтом кварца полностью идентична конфигурации спектров поглощения полимерных композиций, содержащих в себе нановолокна кобальтовой шпинели Со2+Со23+О4, описанных в работе [8]. Образование шпинели в имплантированном слое кварца инициируется пост-имплантационным отжигом и усиливается при температурах 590—750 °С. При температурах выше 900 °С мелкодисперсная фаза шпинели растворяется в матрице горного хрусталя и ее полосы поглощения не детектируются. Структура шпинели является частично инверсированной, о чем свидетельствует наличие в ней ионов Со2+ в октаэдрах и ионов Со3+ в тетраэдрах. Шпинель характеризуется повышенной ковалентностью связи в полиэдрах кобальта. Об этом свидетельствует несколько пониженное значение параметров кристаллического поля (Dq) в сравнении с их обычными значениями для ионов Со2+, Со3+ в кислородных октаэдрах и тетраэдрах. Принимая во внимание квантово-оптические свойств кобальтовой шпинели, которая является рабочей средой для изготовления лазерных затворов, можно заключить, что предложенная в данной работе методика ионно-лучевой модификации оптических свойств кварца является весьма перспективной в области создания новых композитных материалов на основе природного и искусственного минерального сырья.

Список литературы

1. Бальхаузен К. Введение в теорию поля лигандов. М.: Мир, 1964. 360 с.

2. Лопатин О.Н., Хайбуллин Р.И., Ибрагимов Ш.З., Бахтин А.И., Хайбуллин И.Б. Имплантация ионов железа в кристаллическую структуру природного кварца // Изв. ВУЗов. Геология и разведка. 2002. № 6. С. 35—41.

3. Лопатин О.Н. Ионная имплантация минералов и их синтетических аналогов. Saarbrucken: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2011. 206 с.

4. Лопатин О.Н., Николаев А., Хайбуллин Р. Ионнолучевая модификация свойств природных алмазов. Saarbrucken: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2013. 125 с.

5. Марфунин А.С. Введение в физику минералов. М.: Недра, 1974. 324 с.

6. Риссел Х., Руге И. Ионная имплантация. М.: Наука, 1983. 360 c.

7. Свиридов Д.Т., Свиридова Р.К., Смирнов Ю.Ф. Оптические спектры ионов переходных металлов в кристаллах. М.: Наука, 1976. 226 с.

8. George G., Anandhan S. A Comparative Study on the Physico-chemical Properties of SolGel Electrospun Cobalt Oxide Nanofibres from Two Different Polymeric Binders // The Royal Society of Chemistry. 2015. Vol. 5. P. 81429—81437. DOI: 10.1039/C5RA11135H.

9. Marques C., Falcão A., da Silva R.C., Alves E. Structural and optical characterization of topaz implanted with Fe and Co ions // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Research. Sect. B: Beam Interact. with Mater. And Atoms. 2002. Vol. 191. P. 204-208. DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00582-7

10. Saito Y., Kumagai H., Suganomata S. Coloration of Quartz by Metal-Ion Implantation // Jap. J. Appl. Phys. 1985. Vol. 24. P. 1115—1116. DOI: 10.1143/JJAP.24.1115

11. Saito Y., Horie H., Suganomata S. Coloration of sapphire by Co ion implantation // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Research. Sect. B: Beam Interact. with Mater. and Atoms. 1991. Vol. 59/60. P. 1173—1176. DOI: 10.1016/0168-583X(91)95788-F

12. Townsend P.D., Chandler P.J., Zhang L. Optical effects of ion implantation. Cambridge: Cambridge University Press, 1994. 280 p.

13. Ziegler J.F., Ziegler M.D., Biersack J.P. SRIM — The stopping and range of ions in matter // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Research. Sect. B: Beam Interact. with Mater. and Atoms. 2010. Vol. 268. P. 1818—1823. DOI: 10.1016/j.nimb.2010.02.091. SRIM software can be downloaded at http://www.srim.org/ (дата доступа: 25.02.2021).


Об авторах

А. И. Бахтин
Казанский (Приволжский) федеральный университет
Россия

профессор, доктор геолого-минералогических наук

4/5, Кремлевская ул., г. Казань 420008, Республика Татарстан, Россия

тел.: +7 (843) 233-77-53



А. В. Мухаметшин
Казанский (Приволжский) федеральный университет
Россия

аспирант кафедры минералогии и литологии

4/5, Кремлевская ул., г. Казань 420008, Республика Татарстан, Россия

тел.: +7 (987) 290-97-95

SPIN-код: 8047-0760



О. Н. Лопатин
Казанский (Приволжский) федеральный университет
Россия

профессор, доктор геолого-минералогических наук

4/5, Кремлевская ул., г. Казань 420008, Республика Татарстан, Россия

тел.: +7 (843) 233-77-53

 ORCID: https://orcid.org/0000-0002-0503-8959 



В. Ф. Валеев
Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского, ФИЦ «Казанский научный центр РАН»
Россия

научный сотрудник 

10/7, Сибирский тракт, г. Казань 420029, Республика Татарстан, Россия

тел.: +7 (843) 272-12-41



В. И. Нуждин
Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского, ФИЦ «Казанский научный центр РАН»
Россия

 старший научный сотрудник

10/7, Сибирский тракт, г. Казань 420029, Республика Татарстан, Россия

тел.: +7 (843) 272-12-41



Р. И. Хайбуллин
Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского, ФИЦ «Казанский научный центр РАН»
Россия

кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник

10/7, Сибирский тракт, г. Казань 420029, Республика Татарстан, Россия

тел.: +7 (843) 231-91-09

SPIN-код: 1764-4787



Рецензия

Для цитирования:


Бахтин А.И., Мухаметшин А.В., Лопатин О.Н., Валеев В.Ф., Нуждин В.И., Хайбуллин Р.И. Оптические спектры поглощения и кристаллохимия кварца, имплантированного ионами кобальта. Известия высших учебных заведений. Геология и разведка. 2020;63(5):57-66. https://doi.org/10.32454/0016-7762-2020-63-5-57-66

For citation:


Bakhtin A.I., Mukhametshin A.V., Lopatin O.N., Valeev V.F., Nuzhdin V.I., Khaibullin R.I. Absorption spectra and crystal chemistry of quartz implanted with cobalt ions. Proceedings of higher educational establishments. Geology and Exploration. 2020;63(5):57-66. (In Russ.) https://doi.org/10.32454/0016-7762-2020-63-5-57-66

Просмотров: 99


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 0016-7762 (Print)
ISSN 2618-8708 (Online)